حافظه SSD اینترنال 4 ترابایت Samsung مدل 870 EVO
- ظرفیت:4 ترابایت
- رابط دستگاه:SATA 3.0(6Gb/s)
- فرم فاکتور:2.5 اینچ
- سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات:تا 560 مگابایت بر ثانیه
- سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات:تا 530 مگابایت بر ثانیه
مشخصات عمومی | |
برند | سامسونگ |
مدل | 870 EVO |
پارت نامبر | MZ-77E4T0BW |
مشخصات فنی | |
ظرفیت | 4 ترابایت |
ظرفیت حافظه NAND | 3 بایت |
نوع حافظه NAND | V-NAND MLC |
رابط دستگاه | SATA 3.0(6Gb/s) |
حافظه نهان | 4 گیگابایت |
فرم فاکتور | 2.5 اینچ |
میانگین طول عمر (MTBF) | 1500000 ساعت |
عمر مفید بر حسب میزان رایت (TBW) | 2400 ترابایت |
نوع کنترل کننده (Controller) | Samsung MKX |
سرعت خواندن تصادفی اطلاعات | (4KB QD32) : Up to 98000 IOPS (4KB QD1) : Up to 13000 IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات | (4KB QD32) : Up to 88000 IOPS (4KB QD1) : Up to 36000 IOPS |
سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات | تا 560 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات | تا 530 مگابایت بر ثانیه |
سایر امکانات | دمای عملیاتی (Operating Temperature): 0-70 درجه سانتی گراد پشتیبانی از نرم افزار Samsung Magician |
امکانات | |
مقاوم در برابر شوک | بله |
میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G & 0.5 ms |
قابلیت رمزنگاری داده ها | بله |
قابلیت پشتیبانی از TRIM | بله |
پشتیبانی از S.M.A.R.T | بله |
توضیحات | پشتیبانی از حالت Sleep Mode پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection پشتیبانی از سیستم رمزنگاری AES 256-bit Encryption |
مشخصات فیزیکی | |
طول | 10 سانتیمتر |
عرض | 6.98 سانتیمتر |
ضخامت | 6.8 میلیمتر |
وزن | 48 گرم |
معرفی
حافظههای SSD اینترنال، با توجه به سرعت بالاتری که نسبت به هارد دیسکها دارند، یکی از محبوبترین نوع حافظه در میان کاربران محسوب میشوند که در فرم فاکتورها و سرعتهای متفاوت برای رفع نیاز کاربران مختلف تولید میشوند. سامسونگ یکی از برندهای فعال در زمینه تولید این دسته از محصولات است. حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل Samsung 870 EVO با ظرفیت 4 ترابایت و فرم فاکتور 2.5 اینچی نیز، یکی از محصولات این برند با کیفیت و خوشنام است که برای استفاده در سیستمهای حرفهای و بر طرف کردن نیاز افرادی که همزمان به فضای ذخیره سازی بیشتر و سرعت بالاتر نیاز دارند، تولید شده است.
در وصف مشخصات فنی حافظه Samsung 870 EVO 4TB میتوان به حافظه فلش V-NAND 3bit MLC، حافظه نهان 4 گیگابایت، کنترلر Samsung MKX و رابط اتصال SATA 3.0(6Gb/s) اشاره کرد. این حافظه با حداکثر سرعت خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه و حداکثر سرعت نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه، به انتقال اطلاعات میپردازد. همچنین حداکثر سرعت خواندن و نوشتن تصادفی آن، 98K IOPS و 88K IOPS پیش بینی شده است.
طبق اعلام شرکت سازنده، عمر مفید بر حسب میزان رایت این حافظه 2400 ترابایت بر آورد شده تا در کنار مقامت بالای آن در برابر شوک، قابلیت رمزنگاری دادهها و پشتیبانی از TRIM، S.M.A.R.T و Garbage Collection، تضمین کننده عمر بالای دادهها و سلامت آن باشد. تکمیل کننده مشخصات این محصول، پشتیبانی از حالت Sleep Mode و WWN و همچنین نرم افزار Samsung Magician برای کنترل آن است.
دیدگاه کاربران
- 5 ستاره0
- 4 ستاره0
- 3 ستاره0
- 2 ستاره0
- 1 ستاره0